Intel раскрывает достижения в производстве двумерных транзисторов 2DFET
Компания Intel объявила о значительных успехах в области производства двумерных транзисторов 2DFET, которые имеют толщину всего в несколько атомов. На протяжении более десяти лет 2D-транзисторы исследовались в лабораториях, но теперь Intel Foundry и imec продемонстрировали возможность интеграции таких транзисторов в крупносерийное производство. Для создания 2DFET использовались дихалькогениды переходных металлов, такие как WS₂ и MoS₂ для n-типа, а WSe₂ для p-типа. Основная проблема заключалась в интеграции этих материалов в процесс производства 300-миллиметровых пластин без повреждений. Intel и imec представили инновационную схему
Read more