Samsung начинает массовое производство памяти HBM4
Samsung сообщила о старте массового производства и коммерческих поставок памяти HBM4, став первой компанией, достигшей этого этапа. Основная инновация заключается в применении 4-нм техпроцесса для логического слоя и 10-нм технологии (1c) для чипов DRAM, что обеспечивает выдающиеся характеристики без значительных изменений в архитектуре. Скорость передачи данных достигает 11,7 Гбит/с, с максимальным значением до 13 Гбит/с. Пропускная способность составляет 3,3 ТБ/с на стек, что в 2,7 раза превышает показатели предыдущей версии памяти HBM3E, оказавшейся критически важной для решения узких мест при
Read more