Intel раскрывает достижения в производстве двумерных транзисторов 2DFET

Компания Intel объявила о значительных успехах в области производства двумерных транзисторов 2DFET, которые имеют толщину всего в несколько атомов. На протяжении более десяти лет 2D-транзисторы исследовались в лабораториях, но теперь Intel Foundry и imec продемонстрировали возможность интеграции таких транзисторов в крупносерийное производство.

Для создания 2DFET использовались дихалькогениды переходных металлов, такие как WS₂ и MoS₂ для n-типа, а WSe₂ для p-типа. Основная проблема заключалась в интеграции этих материалов в процесс производства 300-миллиметровых пластин без повреждений.

Intel и imec представили инновационную схему интеграции контактов и затворов, совместимую с существующими производственными технологиями. Этот подход позволит создать низкоомные контакты, что является важным шагом для внедрения 2D-транзисторов в промышленность. Несмотря на то, что массовое производство 2D-транзисторов ожидается не раньше второй половины 2030-х годов, работа Intel и imec снижает риски и ускоряет тестирование новых технологий.