Samsung запускает тестирование нового оборудования для производства чипов в Техасе

Как сообщает Korea Economic Daily, Samsung собирается начать тестирование EUV-оборудования на своем заводе Taylor Plant 1 в Техасе уже в марте текущего года. Это станет важным шагом к массовому производству чипов по 2-нм техпроцессу с транзисторами GAA (Gate-All-Around). Техасский завод будет служить площадкой для отладки процессов установки, травления и осаждения с использованием экстремальной ультрафиолетовой литографии. Полноценный запуск серийного производства ожидается во второй половине 2026 года. Хотя не уточняется, будут ли здесь выпускаться процессоры Exynos 2600, известно, что завод станет базой для ИИ-чипов Tesla, включая системы AI5 и AI6, которые Samsung будет производить по контракту на 16,5 миллиардов долларов. Для ускорения ввода в эксплуатацию на заводе работает около 7 тысяч человек, а после завершения строительства численность сотрудников составит около 1 тысячи. Samsung также планирует получить временное разрешение на эксплуатацию завода. Площадь завода в Техасе составляет 4,85 миллиона квадратных метров, что превышает размеры крупнейших корейских фабрик компании. Закупка EUV-установок ASML остается ключевым элементом стратегии Samsung, поскольку каждая установка стоит около 339 миллионов долларов. В будущем компания рассчитывает построить до десяти заводов на этой площадке, изменив первоначальные планы по 4-нм техпроцессу в связи с отказом TSMC от переноса технологий в США. Цель — выпуск до 50 тысяч кремниевых пластин.