Samsung запускает массовое производство HBM4 для дата-центров

Samsung Electronics сообщила о начале массового выпуска памяти HBM4, обещающей стать основой для мощных чипов в дата-центрах, включая решения от NVIDIA и AMD. Данный запуск является первым в своей категории, подтверждая лидерство Samsung в разработке передовой памяти.

Память HBM4 устанавливает новые высокие стандарты:
— Скорость передачи данных достигает 11,7 Гбит/с, с потенциальным увеличением до 13 Гбит/с.
— Пропускная способность достигает 3,3 ТБ/с на стек, что в 2,7 раза больше, чем у HBM3E.
— Возможности ёмкости составляют от 24 до 48 ГБ в зависимости от компоновки.
— Интерфейс включает 2048 контактов ввода-вывода, что вдвое превышает предыдущие версии.
— Энергоэффективность улучшена на 40 % благодаря низковольтной технологии.

Компания ожидает более чем тройного роста спроса на HBM к 2026 году и планирует запустить образцы HBM4E в следующем году. Samsung также намерена укрепить сотрудничество с производителями GPU и гиперскейлерами для разработки новых ASIC, обеспечивая надежные поставки памяти в условиях растущего спроса.