Samsung запускает массовое производство HBM4 для Nvidia

Южнокорейский технологический гигант Samsung Electronics планирует запустить массовое производство памяти нового поколения HBM4 уже в следующем месяце. Основным потребителем этих высокопроизводительных чипов станет компания Nvidia, которой эта память необходима для разработки новых вычислительных ускорителей, включая ожидаемую серию Rubin. Этот шаг представляет собой значимый этап в конкурентной борьбе на рынке высокопропускной памяти, где Samsung стремится улучшить свои позиции и соперничать с SK hynix, которая в настоящее время занимает лидирующие позиции.

Память HBM (High Bandwidth Memory) является уникальным типом DRAM, позволяющим размещать чипы вертикально и создавать трехмерные структуры. Это обеспечивает высокую пропускную способность при низком энергопотреблении, что критически важно для современных систем ИИ и суперкомпьютеров. Ожидается, что новая версия HBM4 предложит ещё более высокие скорости передачи данных и объемы памяти по сравнению с HBM3E, что позволит обрабатывать более сложные модели ИИ.

Перед началом поставок Samsung провела квалификационные испытания памяти, которые были успешно пройдены такими клиентами, как Nvidia и AMD. Первые образцы были отправлены на валидацию осенью прошлого года, что свидетельствует о сложном и длительном процессе подготовки. В то же время SK hynix также активно развивает свои мощности, включая новый завод M15X, чтобы удовлетворить растущий спрос на память для ИИ-ускорителей.