Samsung начинает массовое производство высокоскоростной памяти HBM4

Компания Samsung Electronics объявила о старте массового производства первой в мире высокоскоростной памяти шестого поколения — HBM4. По данным издания JoongAng Ilbo, запуск производственной линии намечен на конец февраля 2026 года. Новая память HBM4 станет основным компонентом для следующего поколения ИИ-ускорителей Nvidia, получивших название Vera Rubin. Samsung успешно завершила все необходимые тесты качества и синхронизировала планы по выпуску своей продукции с графиком выхода новых чипов Nvidia.

Память имеет улучшенные характеристики: шина шириной 256 байт, количество слоев увеличено до 16, а емкость составляет 48-64 ГБ. Кроме того, теперь логику для стека придется производить отдельно, что вносит дополнительные изменения в процесс.

Тем временем, компания Trump Mobile, год назад анонсировавшая смартфон Trump Phone, все еще не выпустила устройство на рынок. Ресурс The Verge получил первое реальное фото смартфона. Внешний вид устройства значительно отличается от изображений на официальном сайте, где доступен предзаказ. Если же на картинках Trump Phone напоминал iPhone, то реальный смартфон имеет дизайн модуля камер, схожий с недорогими моделями пятилетней давности.

Также характеристики изменятся: вместо 6,25 дюйма будет дисплей диагональю 6,8 дюймов, объем встроенной памяти увеличится с 256 до 512 ГБ, а аккумулятор останется 5000 мАч. Ожидается, что у устройства будет 50-мегапиксельная камера и SoC Snapdragon 7. Цена, изначально заявленная в 500 долларов, вероятно, будет выше 1000 долларов, но точные цифры пока не известны.