Samsung начинает массовое производство памяти HBM4

Samsung сообщила о старте массового производства и коммерческих поставок памяти HBM4, став первой компанией, достигшей этого этапа. Основная инновация заключается в применении 4-нм техпроцесса для логического слоя и 10-нм технологии (1c) для чипов DRAM, что обеспечивает выдающиеся характеристики без значительных изменений в архитектуре. Скорость передачи данных достигает 11,7 Гбит/с, с максимальным значением до 13 Гбит/с. Пропускная способность составляет 3,3 ТБ/с на стек, что в 2,7 раза превышает показатели предыдущей версии памяти HBM3E, оказавшейся критически важной для решения узких мест при обучении крупных языковых моделей ИИ. Удивительно, но при увеличении количества контактных выводов с 1024 до 2048 удалось повысить энергоэффективность на 40%. В настоящее время доступны решения объемом 24 и 36 ГБ, а в будущем планируется запуск 48-гигабайтных 16-слойных модулей. Samsung ожидает резкий рост спроса на HBM: к 2026 году продажи вырастут более чем в три раза по сравнению с 2025 годом. Совместно с этим, в 2026 году компания начнет тестировать образцы улучшенной версии HBM4E и с 2027 года планирует выпуск чипов памяти под индивидуальные требования заказчиков.