Российская дорожная карта по экстремальной ультрафиолетовой литографии

Институт физики микроструктур Российской академии наук представил дорожную карту, нацеливающуюся на разработку отечественных установок экстремальной ультрафиолетовой литографии. Ожидается, что первые высокотехнологичные системы, способные производить процессоры и однокристальные системы с техпроцессом 10 нм и менее, появятся примерно через десять лет. В отличие от литографов ASML, российские устройства будут использовать уникальные технологии, включая гибридные твердотельные лазеры и источники света на основе ксеноновой плазмы, что позволит избежать загрязнения фотошаблонов и снизить затраты на обслуживание. Дорожная карта состоит из трех ключевых этапов: с 2026 по 2028 год планируется создать литограф для 40-нм техпроцесса, затем с 2029 по 2032 год — сканер для 14-нм чипов, и, наконец, с 2033 по 2036 год — систему для производства чипов с разрешением менее 10 нм. Каждый этап будет сопровождаться улучшением оптической системы и повышением эффективности сканирования, при этом стоимость производства будет значительно ниже, чем у аналогичных систем ASML.