Китай создал настольный источник экстремального ультрафиолетового излучения для литографии

Китайские исследователи представили революционный настольный источник экстремального ультрафиолетового излучения (EUV), что знаменует собой значительный шаг к независимости страны в производстве микрочипов. Эта инновационная технология позволяет создавать микросхемы с топологическим узлом 14 нанометров, что может существенно повлиять на местную микроэлектронную промышленность.

Хотя новая разработка не способна полностью заменить устройства голландской компании ASML, она предлагает практическую альтернативу для небольших партий чипов. Также данный источник может быть востребован для инспекции микросхем, создания прототипов квантовых процессоров и поиска дефектов в фотошаблонах. Таким образом, оно станет полезным инструментом для научных исследований и малосерийного производства.

В отличие от машин ASML, которые используют технологию лазерно-индуцированной плазмы, данный прибор работает на основе фемтосекундного лазера, взаимодействующего с газом аргон. Это обеспечивает генерацию экстремального ультрафиолетового излучения через процесс, известный как генерация высоких гармоник, что исключает необходимость в громоздких зеркалах и оловянных каплях.

Новый китайский источник потребляет всего около 1 микроватта на импульс, что в 200 миллионов раз меньше по сравнению с ASML, что делает его особо пригодным для задач, таких как проверка фотошаблонов и изучение транзисторов. Кроме того, его настольный размер и низкая стоимость – всего несколько процентов от ASML – делают его очень привлекательным для китайских производителей, которые сталкиваются с ограничениями на покупки нового оборудования.

Эксперты уверены, что данная технология станет основой для дальнейшего улучшения производства чипов в Китае и поможет стране минимизировать зависимость от иностранных технологий в научно-исследовательской деятельности.