Россия начнёт создание литографа для чипов с топологией 90 нм

В 2026 году в России стартуют работы по разработке литографа для производства полупроводников на основе топологии 90 нм. Об этом в ходе своего выступления на научно-технической конференции в области радиоэлектроники 20 марта 2026 года сообщил заместитель министра промышленности Василий Шпак.

Исполнительные организации будут определены по итогам конкурса. Проектом занимается Зеленоградский нанотехнологический центр (ЗТНЦ) в сотрудничестве с белорусской компанией «Планар», которая ранее работала с литографами на 350 нм и 130 нм. Генеральный директор ЗНТЦ Анатолий Ковалёв отметил, что пока не принято решение о возможном участии в конкурсе. В свою очередь, в ноябре 2026 года ожидается завершение работы над степпером с разрешением 130 нм. О подробностях о новом литографе представители Минпромторга пока не предоставили информацию.

Эксперт РИНКЦЭ и академик Международной академии связи Дмитрий Пшиченко указывает, что создание нового литографа с нуля займёт от пяти до десяти лет и потребует значительных финансовых затрат. Если будет осуществляться локализация или адаптация существующих технологий на базе 130 нм, сроки работ могут сократиться до двух—четырёх лет. По словам Пшиченко, важно наличие полной экосистемы фотошаблонов и материалов для обеспечения массового производства.

Для достижения разрешения 90 нм на базе разработанного литографа на 130 нм необходимо будет доработать уже имеющееся оборудование, заменив некоторые модули. Эксперт Алексей Бойко отметил, что с помощью двукратного экспонирования литографа на 130 нм также можно достигнуть нужной топологии. В настоящее время в России уже существует литограф на 350 нм, а работа над 130 нм ведётся, при этом стоимость нового оборудования оценена в 6 миллионов долларов, с производительностью от 100 до 140 пластин в час.