Обвинения в краже технологий DRAM у Samsung Electronics

Прокуратура Центрального округа Сеула возбудила уголовное дело против десяти человек, замешанных в крупной краже технологий производства DRAM-памяти 10-нм класса у компании Samsung Electronics. Пятеро из них, включая бывших сотрудников, уже находятся под стражей. Ущерб от действий преступников оценивается в 5 триллионов вон (приблизительно 3,5 миллиарда долларов), что также наносит значительный вред экономике Южной Кореи, сумма убытков для которой составляет десятки триллионов вон.

Расследование показало, что китайская компания ChangXin Memory Technologies (CXMT), основанная в 2016 году, привлекла к работе бывшего руководителя отдела Samsung для координации своих разработок. В связке с другими экс-сотрудниками Samsung он организовал схему кражи технологий. Один из перебежчиков воспроизвел вручную сотни этапов 18-нм производственного процесса DRAM, который Samsung разрабатывала на протяжении пяти лет, вложив в это 1,6 трлн вон.

Злоумышленники создали фиктивную компанию, часто меняли местоположение офисов и разработали уникальный код для общения, чтобы избежать преследования. Полученные технологии были адаптированы для китайского оборудования, что позволило CXMT начать производство современных чипов уже в 2023 году, значительно сократив технологическое отставание. Прокуратура считает данный инцидент угрозой национальной безопасности, так как полупроводниковая отрасль составляет более 20% всего экспорта Южной Кореи. Власти намерены продолжать жесткие меры против незаконной передачи технологий, наказывая как местных инсайдеров, так и участников схем из Китая.