Intel и Imec представили технологию производства 2D-транзисторов

На протяжении более десяти лет 2D-транзисторы разрабатывались в академических и лабораторных условиях, однако их массовое производство оставалось недоступным. На этой неделе Intel Foundry и Imec анонсировали технологию 2D-полевых транзисторов (2DFET), готовую к производству на 300-мм пластинах. Современные техпроцессы, такие как Intel 18A и TSMC N2, основываются на транзисторах с затвором, окружающим канал. В то время как CFET обещают улучшение плотности, существует риск достижения предела физических возможностей кремниевых каналов. Intel и Imec представили дихалькогениды переходных металлов, использованные для создания n-типа и p-типа транзисторов. Инновацией стала схема интеграции контактов, совместимая с производственными процессами, что позволяет избежать повреждений хрупких 2D-каналов. Исследование имеет долгосрочную перспективу, нацеленную на 2030-е и 2040-е годы, снижая риски при разработке микросхем с использованием 2D-материалов.