Бывшие сотрудники Samsung замешаны в краже технологий DRAM

Согласно информации из Кореи, несколько бывших руководителей и сотрудников Samsung оказались вовлечены в кражу технологий, связанных с производством 10-нм DRAM. Центральная окружная прокуратура Сеула инициировала расследование и выдала ордер на арест нынешнего директора китайской компании Changshin Memory Technology (CXMT), который ранее работал в Samsung и, как утверждается, сыграл ключевую роль в разработке данной технологии. Также арестованы еще четыре сотрудника CXMT. Прокуратура утверждает, что CXMT разработала схему для ускорения разработки 10-нм DRAM, нанимая корейских специалистов. Samsung вложила около 1,6 триллиона вон (1,08 миллиарда долларов) в разработку своей технологии. В ходе расследования выявлено, что бывший сотрудник Samsung передавал информацию о технологических процессах, а другой в 2016 году слил большие объемы рукописных данных. CXMT также использовала подставные компании для привлечения специалистов. Ранее один из высокопоставленных сотрудников Samsung уже был осужден за кражу секретов, связанных с 18-нм DRAM. На данный момент CXMT является ведущим производителем памяти в Китае, производя до 280 тысяч пластин в месяц, что составляет 15% мирового объема производства DRAM.